Produkta Video

Ievads

Amorfā silīcija (a-Si): Tas nav kristāliskā formā silīcija, kas ir thin-film solar cells, pamatojoties uz amorfā silīcija savienojumi.Šūnu struktūras ir vienas sērijas p-slāņos.Ja tiek pakļauti saules, to jauda tiek būtiski samazinājās.A-Si tips thin film solar cells ir bieži sastopamas kalkulatori.A-Si tips plānas plēves, ir ražotas 6 soļi.Pirmā stikla substrātu, ir pārklāts ar TCO (caurspīdīgu vadošu oksīdu) slāni, kā priekšā kontaktu, kam seko P1 lāzera scribing.Pēc tam slānī-Si ir noguldīta seko P2 lāzera scribing.Pēc tam metāla vadošs slānis ir novietots kā atpakaļ, sazinieties ar relatīvo P3 lāzera scribing.

Pieteikums

Piemērots kalkulators, LCD pārnēsājamas elektroniskas rotaļlietas, lādētāju un citām mazjaudas elektronisko produktu, piemēram, elektronisko pulksteņu, portatīvo radiogram, LCD handheld spēles, lādētājs, portatīvie radio, utt.

Funkcijas

1)iekšdarbiem A-Si saules šūnu, lielisks jutība ar zemu un vidēju apgaismojumu,Nodrošina labu uzlādes vai tieša jaudas vājā apgaismojumā un iekštelpu apgaismojumam;

2)izcils sniegums zem nedēļu vieglo nosacījumu,10%-15% lielāks faktisko elektroenerģijas ražošanā uz vienu vatu nominālo jaudu;

3)apakšējā temperatūras koeficients, labāku veiktspēju saskaņā ar augstas temperatūras stāvoklī;

4)Pielāgota forma un dažādu izmēru ir pieejami.Augsta caurspīdīga stikla, kuru var izgatavot bez robežām Saules Paneli;

5)Ultra-plānas biezums: 1.1 mm (telpās) vai 3.2 mm (āra), var viegli iekļaujas plastmasas turētājs;

6)Stikla substrāts, ko var izmantot skarbos vides apstākļos ūdensdrošs un izturīgs pret skrāpējumiem, UV aizsardzība.Tāpēc tas ir viens veids, Izturīgs un izturīgs, ilgs kalpošanas laiks, pretkorozijas saules panelis.

Tehniskās īpašības

1)Izmantojot taisnas līnijas, iekšējās mijiedarbības struktūru var vienkāršot kuģiem;

2)amorfā silīcija uzklāšanas uniformization tehnoloģija uzlabo vienveidību amorfā silīcija filmu;

3)Izmantojot kompozīta konstrukcijas TCO strāvu vadoša plēve, palielināt redzamās gaismas lipīgumu īsviļņu diapazonā;

4)Izmantojot speciālās sastāvdaļas piešķirto daļu no amorfā silīcija filmu uzlabotu bateriju elektroenerģijas izpildi;

5)Izmantojot speciālu caurspīdīgu vadošu filmu dizains, novērsta, un ir iespējams novērst īssavienojumu un noplūdes.

Parametrs

Tuvās Gaismas Amorphase Saules Panelis

Modelis

Izmērs（mm±0.5）

Šūnu N

Voc

Auk

Vmp

Ijp

Garums

Platums

Biezs

V

µA

V

µA

10018-16

100

18

1.1

16.0

8.0

6.0

6.0

4.0

10020-18

100

20

1.1

18.0

9.0

6.0

6.8

4.0

10027-8

100

27

1.1

8.0

4.0

12.0

3.0

9.0

10126-15

101

26

1.1

15.0

7.5

7.0

5.6

5.0

10126-16

101

26

1.1

16.0

8.0

6.0

6.0

5.0

10316-16

103

16

1.1

16.0

8.0

6.0

6.0

5.0

10530-11

105

30

1.1

11

5.5 V

24µA

4.1 V

20µA

10814-10

108

14

1.1

10.0

5.0

11.0

3.8

8.0

10828-16

108

28

1.1

16.0

8.0

7.0

6.0

5.0

10828-20

108

28

1.1

20.0

10.0

5.0

7.5

4.0

11010-8

110

10

1.1

8.0

4.0

14.0

3.0

10.0

11070-12L

110

70

1.1

12.0

6.0

9.0

4.5

7.0

12323-3

123

23

1.1

3.0

1.5

4.1

1.1

29.0

12550-12

125

50

1.1

12

6.0 V

40µA

4.5 V

36µA

13007-7

130

7

1.1

7

3.5 V

11µA

2.6 V

9.0 µA

13038-8

130

38

1.1

8.0

4.0

16.0

3.0

12.0

15075H-12L

150

75

1.1

12.0

6.0

12.0

4.5

9.0

22020-9

220

20

1.1

9.0

4.5

24.0

3.4

17.0

22020-11

2 20

20

1.1

11

5.5 V

34µA

4.1 V

25µA

25525-14L

255

25

1.1

14.0

7.0

18.0

5.3

13.0

37580-29

375

80

1.1

29.0

14.5

13.0

10.9

9.0

Priekšrocības amorfs saules baterijas

1) Zemas ražošanas izmaksas

Sakarā ar zemu reakcijas temperatūras, tas var būt izgatavotas temperatūra ir par 200 °C, lai filmas var nogulsnēties uz stikla, nerūsējošā tērauda plāksnes, keramikas plāksnes un elastīgas plastmasas loksnes, kas ir viegli ražot lielos apgabalos un ir zemas izmaksas.

2) Mazu enerģijas atgriešanas periods

Amorfā silīcija saules šūnas ar pārveides efektivitāti 6% izmanto par 1.9 kWh/W elektroenerģijas ražošanai, un laiku, lai atgrieztos iepriekš enerģiju pēc elektroenerģijas ir tikai 1,5-2 gadiem.

3) Piemērota masveida ražošanai

Amorfā silīcija materiāls ir veidots ar tvaiku uzkrāšanās, un visbiežāk lietotā metode ir plazmu aktivētam ķīmisko tvaiku kondensācijas pārklāšana (PECVD) metodi.Šo ražošanas procesu var pastāvīgi pabeigta vairāku vakuuma pārklāšanas kamerām, tādējādi realizējot masveida ražošanu.Galvenais process (PECVD) amorfa silīcija saules šūnas, izmantojot stikla substrātu, kas ir līdzīga TFT-LCD bloku ražošanā, un ražošanas metodēm, ir īpašības, augsta automatizācijas pakāpe un augsta ražošanas efektivitāte.

Runājot par ražošanas metodēm, ir elektronu ciklotrona rezonansi metodi, fotoķīmiskā tvaiku nogulsnēšanas metodi, DC mirdzizlādes metodi, radio frekvenču mirdzizlādes metodi, noārdīšanās metodi un karstā stieples metodi.Jo īpaši, radio frekvenču mirdzizlādes metode ir kļuvusi starptautiski atzītu nobriedušu tehnoloģiju, jo tai ir zema temperatūra process (~200 °C), kas ir viegli sasniegt liela mēroga un liela mēroga

4) Laba augstas temperatūras veiktspēju

ja darba temperatūra saules šūnas ir augstāka nekā standarta testa temperatūras 25 °C, optimālo izejas jauda samazināsies; temperatūra amorfā silīcija saules šūnas ir daudz mazāk ietekmē temperatūra, nekā kristāliskā silīcija saules šūnas.

5) Laba atbilde uz vājas gaismas un augstā uzlādēšanas efektivitāte

Absorbcijas koeficientu amorfā silīcija materiāls ir visā redzamās gaismas diapazonā, un tai ir labas spējas pielāgoties zemas gaismas un spēcīga gaisma faktisko izmantošanu.

Mūsu Ražotne

Sertifikācija